본 발명은 경시 후의 패턴에 있어서의 결함을 저감할 수 있는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용한 감활성광선성 또는 감방사선성막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법을 제공한다.상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은, 고형분 농도가 15% 이상이고, (A) 산분해성기를 갖는 반복 단위 (a1)과 방향환을 갖는 반복 단위 (a2)를 포함하는 수지, (B) 특정 일반식 (1)로 표시되는 반복 단위 (b1)을 포함하는 수지, 및 (C) 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 함유하며, 상기 수지 (B) 중에 포함되는 산분해성기를 갖는 반복 단위의 함유량은, 수지 (B) 중의 전체 반복 단위에 대하여 5몰% 이하이며, 상기 수지 (B)의 분산도는 3.0 미만이다.
- 출원번호 : 10-2024-0042952
- 출원인 : 후지필름 가부시키가이샤
- 특허번호 :
- IPC : G03F-007/004;G03F-007/038;G03F-007/039;G03F-007/20;G03F-007/26;H01L-021/027;