본 명세서의 다양한 실시 예들은 기판 상에 포토레지스트 재료를 증착하기 위한 기법들에 관한 것이다.예를 들어, 기법들은 반응 챔버 내에 기판을 제공하는 단계; 제 1 반응 물질 및 제 2 반응 물질을 반응 챔버에 제공하는 단계를 수반하고, 제 1 반응 물질은 M1aR1bL1c의 화학식을 갖는 유기-금속 전구체이고, 여기서: M1은 고 패터닝 복사선-흡수 단면을 갖는 금속이고, R1은 제 1 반응 물질과 제 2 반응 물질 사이의 반응을 견디고 패터닝 복사선에 대한 노출 하에서 M1로부터 절단 가능한 유기기이고, L1은 제 2 반응 물질과 반응하는 리간드, 이온, 또는 다른 모이어티이고, a ≥ 1, b ≥ 1, 그리고, c ≥ 1이고, 다음 조건들 중 적어도 하나가 만족된다: 포토레지스트 재료는 2 이상의 고-패터닝 복사선 흡수 엘리먼트들을 포함하고, 그리고/또는 포토레지스트 재료는 포토레지스트 재료의 두께를 따라 조성 경사를 포함한다.
- 출원번호 : 10-2025-7037044
- 출원인 : 램 리써치 코포레이션
- 특허번호 :
- IPC : G03F-007/004;G03F-007/16;G03F-007/20;