러시아 로바체프스키 국립대학(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod)과 러시아 과학원(Russian Academy of Sciences)의 연구진은 우주 공간 또는 레이저 방사선에서 발생하는 대전된 중입자(heavy charged particle)의 영향 하에서 마이크로전자장치 및 나노전자장치가 어떤 영향을 받는지를 분석하는데 국부적인 비-평형 근사법을 이용한 확산-표류 모델을 제안했다.
디지털 및 아날로그 전자 장비의 하드웨어 개발은 다이오드와 트랜지스터 구조의 활성 영역 크기를 줄이는 방향으로 진행되고 있다. 이것은 제조비용을 기존과 동일하게 유지하거나 감소시키면서 마이크로전자장치 및 나노전자장치의 성능을 향상시킴으로써 달성될 수 있다. 마이크로전자장치 및 나노전자장치는 속도 및 메모리를 증가시키고 작동 주파수 및 전력을 증가시키며 소음을 감소시킴으로써 성능을 향상시킬 수 있다.
우주 공간의 전리 방사선(ionizing radiation)은 전자 장치에 악영향을 미친다. 예를 들어, 수명을 단축시키거나 갑작스러운 고장 또는 오작동을 발생시킨다. 우주에서 발생하는 전리 방사선에 대한 수학적 모델링을 할 수 있다면 마이크로전자장치 및 나노전자장치의 개발에 드는 시간 및 비용을 줄 수 있다. 그러나 전리 방사선 효과에 대한 분석은 복잡하고 비선형적이기 때문에 매우 어렵다.
기존의 반도체의 경우에 전하 캐리어(전자와 정공)의 움직임은 확산-표류(diffusion-drift)로 설명할 수 있다. 이 시스템은 국지적으로 평형 상태에 있으며 고전적인 통계 물리학 및 열역학의 관점으로 설명이 가능하다.
반대로 마이크론 이하의 반도체 장치의 입자 수송은 준탄도(quasiballistic) 형태로 설명할 수 있다. 이런 움직임은 대부분 방향성을 가지고 있고, 전기장 속에서 입자 속도의 증가는 산란에 의해서 중단된다. 이 시스템은 비평형 상태이고, 열역학적인 파라미터가 분명하지 않다.
전하 운반체에 대한 기존 모델은 반세기 전의 국부적인 평형 확산-표류 또는 준-유체역학 근사법을 기반으로 만들어졌다. 그러나 현대 반도체의 활성 영역 크기가 20 ~ 50 nm로 감소됨에 따라서 기존의 방법은 사용하지 못한다.
마이크론 이하의 구조에 대한 우주에서 온 전리 방사선의 영향 분석은 방사선과 입자의 상호작용의 확률적 특성, 이온화의 이질성, 결함 형성을 고려해야 한다. 결과적으로, 기존의 모델은 적용할 수 없다. 따라서 마이크론 이하의 구조의 경우에, 방사선 파괴에 대한 확률적인 모델이 필요하다. 그래서 이번 연구진은 국부적인 비-평형 근사법을 이용한 확산-표류 모델을 개발했다.
국부적인 비평형 모델은 마이크로전자장치와 나노전자장치의 고장 및 오작동 가능성을 평가하는데 매우 유용하게 적용될 수 있을 것이다. 향후에는 캐리어 이동을 분석한 국부적인 비평형 모델이 개발되어야 할 것이다.
이 연구결과는 저널 Semiconductors에 “Application of the Locally Nonequilibrium Diffusion-Drift Cattaneo–Vernotte Model to the Calculation of Photocurrent Relaxation in Diode Structures under Subpicosecond Pulses of Ionizing Radiation” 라는 제목으로 게재되었다.
- 저자 : KISTI 미리안 글로벌동향브리핑
- Keyword : 1. 반도체; 전리 방사선; 우주; 비평형; 확산 표류 2. semiconductor; ionizing radiation; space; nonequilibrium; diffusion drift